Spesifikasi Snapdragon 830 Tersedia Awal 2017

Setelah pengumuman itu, yaitu Qualcomm juga mengumumkan spesifikasi dari Snapdragon 830 yang ditujukan untuk smartphone flagship tahun depan.

Kali ini Users micro bloging Weibo telah membocorkan informasi tentang Snapdragon 830 akan menggunakan proses manufaktur 10nm dan itu akan tersedia pada januari tahun depan.

Kemungkinan besar, Qualcomm akan mempublikasi Snapdragon 830 secara resmi pada akhir tahun 2016 ini. perkirakan, smartphone flagship selanjutnya yang akan menggunakan chipset tersebut adalah Samsung Galaxy S8 di tahun 2017 nanti.

Rumor belakang telah berspekulasi bahwa chipset Qualcomm Snapdragon 830 akan menggunakan proses 10nm FinFET dan arsitektur Kyro 200, mendukung GPU Adreno 540, X16 baseband yang diduga mampu mencapai kecepatan downlaod hingga 980Mbps dan memiliki memori LPDDR4X dan 4K × 2K / merekam video pada 60fps.

Karena chipset Helio X30 dari MediaTek juga dikabarkan dengan menggunakan proses 10nm yang sama, belum diketahui mana dari kedua chipset tersebut yang akan lebih unggul ketika diluncurkan nanti. Sejauh rumor yang beredar, kelebihan yang dimiliki Snapdragon 830 dapat mengurangi konsumsi daya berlebihan dan juga dapat memberikan kemampuan kontrol suhu panas.